Temperature dependent currentvoltage (IV) characteristics of Au/n-Si (1 1 1) Schottky barrier diodes with PVA(Ni,Zn-doped) interfacial layer


Tunç T., ALTINDAL Ş., Uslu I., Dökme L., Uslu H.

Materials Science in Semiconductor Processing, cilt.14, ss.139-145, 2011 (SCI İndekslerine Giren Dergi)

  • Cilt numarası: 14 Konu: 2
  • Basım Tarihi: 2011
  • Doi Numarası: 10.1016/j.mssp.2011.01.018
  • Dergi Adı: Materials Science in Semiconductor Processing
  • Sayfa Sayısı: ss.139-145